Код производителя
GD2400SGY120C3S
Конструкция диода
общий вход, транзистор/транзистор
Корпус
C3 130mm
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Производитель
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Технология
Advanced Trench FS IGBT
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
2,4кА
Ток коллектора в импульсе
4,8кА
Топология
одиночный транзистор
Электрический монтаж
винтами
Отзывы не найдены