Конструкция диода
транзистор/транзистор
Корпус
C8 48mm
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
GD300HFX65C8SN
Обратное напряжение макс.
650В
Производитель
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Технология
Trench FS IGBT
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
300А
Ток коллектора в импульсе
600А
Топология
полумост IGBT
Электрический монтаж
винтами, коннекторы FASTON
Отзывы не найдены