Конструкция диода
транзистор/транзистор
Корпус
L2.1
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
GD50FSX65L2S
Обратное напряжение макс.
650В
Производитель
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Технология
Trench FS IGBT
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
50А
Ток коллектора в импульсе
100А
Топология
3-фазный мост IGBT выход OE, термистор NTC
Электрический монтаж
Press-in PCB
Отзывы не найдены