GD50FSX65L2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 650В; Ic: 50А; L2.1

GD50FSX65L2S
7 62405 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
12+
24+
Цена
6 727.27 ₽
6 061.55 ₽
5 645.83 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "GD50FSX65L2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 650В; Ic: 50А; L2.1" 1.

Артикул производителя
GD50FSX65L2S STARPOWER SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Конструкция диода
транзистор/транзистор
Корпус
L2.1
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
GD50FSX65L2S
Обратное напряжение макс.
650В
Производитель
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Технология
Trench FS IGBT
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
50А
Ток коллектора в импульсе
100А
Топология
3-фазный мост IGBT выход OE, термистор NTC
Электрический монтаж
Press-in PCB

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены