Москва
 
+7 (499) 550-50-61
0Корзина

GD50HFX65C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В

Написать отзыв
GD50HFX65C1S
8 01989 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
3+
12+
24+
Цена
7 103.22 ₽
6 374.05 ₽
5 936.55 ₽
Доступность: Предзаказ
+ −

Минимальное количество для товара "GD50HFX65C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
GD50HFX65C1S STARPOWER SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Конструкция диода
транзистор/транзистор
Корпус
C1 34mm
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
GD50HFX65C1S
Обратное напряжение макс.
650В
Производитель
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Технология
Trench FS IGBT
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
50А
Ток коллектора в импульсе
100А
Топология
полумост IGBT
Электрический монтаж
винтами, коннекторы FASTON

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены