Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
C2 62mm
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
GD600SGY120C2S
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Производитель
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Технология
Advanced Trench FS IGBT
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
600А
Ток коллектора в импульсе
1,2кА
Топология
одиночный транзистор
Электрический монтаж
винтами
Отзывы не найдены