Москва
 
+7 (993) 080-09-37
 

GD650HFX170P1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В

Написать отзыв
GD650HFX170P1S
000 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "GD650HFX170P1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В" 1.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
GD650HFX170P1S STARPOWER SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Конструкция диода
транзистор/транзистор
Корпус
P1.0
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
GD650HFX170P1S
Обратное напряжение макс.
1,7кВ
Производитель
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Технология
Trench FS IGBT
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
650А
Ток коллектора в импульсе
1,3кА
Топология
полумост IGBT
Электрический монтаж
винтами
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены