Конструкция диода
транзистор/транзистор
Корпус
C1 34mm
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
GD75HFU120C1S
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Производитель
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Технология
NPT Ultra Fast IGBT
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
75А
Ток коллектора в импульсе
150А
Топология
полумост IGBT
Электрический монтаж
винтами, коннекторы FASTON
Отзывы не найдены