GD75HFY120C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В

GD75HFY120C1S

Срок поставки 4-6 недель

9 093.33 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
12+
24+
Цена
8 033.33 ₽
7 226.67 ₽
6 739.17 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "GD75HFY120C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

Артикул производителя
GD75HFY120C1S STARPOWER SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Код производителя
GD75HFY120C1S
Конструкция диода
транзистор/транзистор
Корпус
C1 34mm
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Производитель
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Технология
Advanced Trench FS IGBT
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
75А
Ток коллектора в импульсе
150А
Топология
полумост IGBT
Электрический монтаж
винтами, коннекторы FASTON

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России