Конструкция диода
транзистор/транзистор
Корпус
F1.2
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
GD80TLQ120F1S
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Производитель
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Технология
Advanced Trench FS Fast IGBT
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
80А
Ток коллектора в импульсе
160А
Топология
3-уровневый инвертор TNPC, термистор NTC
Электрический монтаж
Press-in PCB
Отзывы не найдены