Конструкция диода
транзистор/транзистор
Корпус
V1
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±30В
Обозначение производителя
HFGM100D12V1
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Применение
для UPS, инвертор
Производитель
HUAJING
Технология
PT
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
100А
Ток коллектора в импульсе
200А
Топология
полумост IGBT
Электрический монтаж
винтами, коннекторы FASTON
Отзывы не найдены