HGTD1N120BNS9A, Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 2,7А; 60Вт; DPAK

HGTD1N120BNS9A
125.48 
Оптовые цены:
Кол-во
2500+
Цена
125.48 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "HGTD1N120BNS9A, Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 2,7А; 60Вт; DPAK" 2500.

Артикул производителя
HGTD1N120BNS9A ONSEMI
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
21нC
Корпус
DPAK
Монтаж
SMD
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ
Обозначение производителя
HGTD1N120BNS9A
Производитель
ONSEMI
Рассеиваемая мощность
60Вт
Тип транзистора
IGBT
Ток коллектора
2,7А
Ток коллектора в импульсе

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России