IPG20N10S4L35ATMA1, Транзистор: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; полевой; 100В; 17А; Idm: 80А

IPG20N10S4L35ATMA1
Свяжитесь с нами насчёт цены
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "IPG20N10S4L35ATMA1, Транзистор: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; полевой; 100В; 17А; Idm: 80А" 1.

Артикул производителя
IPG20N10S4L35ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Корпус
PG-TDSON-8-4
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±16В
Напряжение сток-исток
100В
Обозначение производителя
IPG20N10S4L35ATMA1
Полярность
полевой
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Рассеиваемая мощность
43Вт
Сопротивление в открытом состоянии
35мОм
Технология
OptiMOS™ T2
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Ток стока
17А
Ток стока в импульсном режиме
80А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены