Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина
Корпус
DirectFET
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
100В
Обозначение производителя
IRF6665TRPBF
Полярность
полевой
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Рассеиваемая мощность
42Вт
Технология
HEXFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
4,2А
Отзывы не найдены