Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
30/-30В
Обозначение производителя
IRF9952TRPBF
Полярность
полевой
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Рассеиваемая мощность
2Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,1/0,25Ом
Технология
HEXFET®
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Ток стока
3,5/-2,3А
Отзывы не найдены