Вид канала
обогащенный
Заряд затвора
11нC
Корпус
PQFN2X2
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±12В
Напряжение сток-исток
30В
Обозначение производителя
IRLHS6342TRPBF
Полярность
полевой
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Рассеиваемая мощность
2,1Вт
Сопротивление в открытом состоянии
15,5мОм
Технология
HEXFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
8,5А
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level
Отзывы не найдены