Вид микросхемы
high-/low-side, контроллер затвора
Вид упаковки
туба
Время нарастания импульса
35нс
Время падения импульса
37нс
Входное напряжение
3...5,5В
Выходной ток
-5...2,5А
Защита
от снижения напряжения UVP
Кол-во каналов
2
Корпус
SO16-W
Монтаж
SMD
Напряжение изоляции
5,7кВ
Обозначение производителя
ISO5851DW
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS
Рабочая температура
-40...125°C
Тип микросхемы
driver
Топология
полумост IGBT, полумост MOSFET
Характеристики интегральных схем
гальваническая развязка
Отзывы не найдены