ISO5851DW, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO16-W; -5÷2,5А; Ch: 2

ISO5851DW
1 39789 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
40+
Цена
1 257.04 ₽
1 110.92 ₽
998.24 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "ISO5851DW, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO16-W; -5÷2,5А; Ch: 2" 1.

Артикул производителя
ISO5851DW TEXAS INSTRUMENTS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид микросхемы
high-/low-side, контроллер затвора
Вид упаковки
туба
Время нарастания импульса
35нс
Время падения импульса
37нс
Входное напряжение
3...5,5В
Выходной ток
-5...2,5А
Защита
от снижения напряжения UVP
Кол-во каналов
2
Корпус
SO16-W
Монтаж
SMD
Напряжение изоляции
5,7кВ
Обозначение производителя
ISO5851DW
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS
Рабочая температура
-40...125°C
Тип микросхемы
driver
Топология
полумост IGBT, полумост MOSFET
Характеристики интегральных схем
гальваническая развязка

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены