Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
IXA70I1200NA
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
350Вт
Технология
XPT™
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
65А
Ток коллектора в импульсе
150А
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный
Электрический монтаж
винтами
Отзывы не найдены