IXBA16N170AHV, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 150Вт; TO263

IXBA16N170AHV
6 08333 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
50+
Цена
5 479.17 ₽
4 832.39 ₽
4 375.00 ₽
Доступность: 8 шт.

Срок поставки 6 недель

 

Минимальное количество для товара "IXBA16N170AHV, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 150Вт; TO263" 1.

Артикул производителя
IXBA16N170AHV IXYS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид упаковки
туба
Время включения
43нс
Время выключения
370нс
Заряд затвора
65нC
Корпус
TO263
Монтаж
SMD
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Напряжение коллектор-эмиттер
1,7кВ
Обозначение производителя
IXBA16N170AHV
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
150Вт
Технология
BiMOSFET™
Тип транзистора
IGBT
Ток коллектора
10А
Ток коллектора в импульсе
40А
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены