Москва
 
+7 (499) 550-50-61
0Корзина

IXBH10N170, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 140Вт; TO247-3

Написать отзыв
IXBH10N170
1 77113 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
25+
30+
120+
Цена
1 462.15 ₽
1 441.90 ₽
1 382.92 ₽
Доступность: 27 шт.

Срок поставки 6 недель

+ −

Минимальное количество для товара "IXBH10N170, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 140Вт; TO247-3" 1.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
IXBH10N170 IXYS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид упаковки
туба
Время включения
63нс
Время выключения
1,8мкс
Заряд затвора
30нC
Корпус
TO247-3
Монтаж
THT
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Напряжение коллектор-эмиттер
1,7кВ
Обозначение производителя
IXBH10N170
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
140Вт
Технология
BiMOSFET™
Тип транзистора
IGBT
Ток коллектора
10А
Ток коллектора в импульсе
40А
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены