IXBH6N170, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 6А; 75Вт; TO247-3

IXBH6N170
1 514 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
30+
Цена
1 360 ₽
1 268 ₽
1 224 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "IXBH6N170, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 6А; 75Вт; TO247-3" 1.

Артикул производителя
IXBH6N170 IXYS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид упаковки
туба
Время включения
104нс
Время выключения
700нс
Заряд затвора
17нC
Корпус
TO247-3
Монтаж
THT
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Напряжение коллектор-эмиттер
1,7кВ
Обозначение производителя
IXBH6N170
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
75Вт
Технология
BiMOSFET™
Тип транзистора
IGBT
Ток коллектора
Ток коллектора в импульсе
36А
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный

Отзывы не найдены

Описание (ixbh6n170_ixbt6n170.pdf, 178 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены