IXBK75N170, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 75А; 1,04кВт; TO264

IXBK75N170
12 47095 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
25+
Цена
11 965.67 ₽
10 745.60 ₽
10 030.81 ₽
Доступность: 21 шт.

Срок поставки 6 недель

+

Минимальное количество для товара "IXBK75N170, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 75А; 1,04кВт; TO264" 1.

Артикул производителя
IXBK75N170 IXYS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид упаковки
туба
Время включения
277нс
Время выключения
840нс
Заряд затвора
0,35мкC
Корпус
TO264
Монтаж
THT
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Напряжение коллектор-эмиттер
1,7кВ
Обозначение производителя
IXBK75N170
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
1,04кВт
Технология
BiMOSFET™
Тип транзистора
IGBT
Ток коллектора
75А
Ток коллектора в импульсе
580А
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены