IXBN42N170A, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 21А; SOT227B

IXBN42N170A
7 280 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
Цена
6 545 ₽
6 098 ₽
Доступность: 4 шт.

Срок поставки 6 недель

+

Минимальное количество для товара "IXBN42N170A, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 21А; SOT227B" 1.

Артикул производителя
IXBN42N170A IXYS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
IXBN42N170A
Обратное напряжение макс.
1,7кВ
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
313Вт
Технология
BiMOSFET™
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
21А
Ток коллектора в импульсе
265А
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный
Электрический монтаж
винтами

Отзывы не найдены

Описание (ixbn42n170a.pdf, 200 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены