Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
IXBN42N170A
Обратное напряжение макс.
1,7кВ
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
313Вт
Технология
BiMOSFET™
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
21А
Ток коллектора в импульсе
265А
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный
Электрический монтаж
винтами
Отзывы не найдены