IXBN75N170, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 75А; SOT227B

IXBN75N170
19 071 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
Цена
17 136 ₽
15 993 ₽
Доступность: 1 шт.

Срок поставки 6 недель

+

Минимальное количество для товара "IXBN75N170, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 75А; SOT227B" 1.

Артикул производителя
IXBN75N170 IXYS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
IXBN75N170
Обратное напряжение макс.
1,7кВ
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
625Вт
Технология
BiMOSFET™
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
75А
Ток коллектора в импульсе
680А
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный
Электрический монтаж
винтами

Отзывы не найдены

Описание (ixbn75n170.pdf, 175 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены