Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
IXBN75N170
Обратное напряжение макс.
1,7кВ
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
625Вт
Технология
BiMOSFET™
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
75А
Ток коллектора в импульсе
680А
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный
Электрический монтаж
винтами
Отзывы не найдены