Москва
 
+7 (499) 550-50-61
0Корзина

IXBT12N300HV, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 3кВ; 30А; 160Вт; TO268

Написать отзыв
IXBT12N300HV
000 ₽
Доступность: Предзаказ
+ −

Минимальное количество для товара "IXBT12N300HV, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 3кВ; 30А; 160Вт; TO268" 1.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
IXBT12N300HV IXYS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Время включения
64нс
Время выключения
180нс
Заряд затвора
62нC
Корпус
TO268
Монтаж
SMD
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Напряжение коллектор-эмиттер
3кВ
Обозначение производителя
IXBT12N300HV
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
160Вт
Технология
BiMOSFET™
Тип транзистора
IGBT
Ток коллектора
30А
Ток коллектора в импульсе
98А
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены