Москва
 
+7 (499) 550-50-61
0Корзина

IXBT16N170A, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 150Вт; TO268

Написать отзыв
IXBT16N170A
3 02025 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
30+
Цена
2 653.17 ₽
2 381.16 ₽
2 227.99 ₽
Доступность: 9 шт.

Срок поставки 6 недель

+ −

Минимальное количество для товара "IXBT16N170A, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 150Вт; TO268" 1.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
IXBT16N170A IXYS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид упаковки
туба
Время включения
43нс
Время выключения
370нс
Заряд затвора
65нC
Корпус
TO268
Монтаж
SMD
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Напряжение коллектор-эмиттер
1,7кВ
Обозначение производителя
IXBT16N170A
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
150Вт
Технология
BiMOSFET™
Тип транзистора
IGBT
Ток коллектора
10А
Ток коллектора в импульсе
40А
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены