Москва
 
+7 (499) 550-50-61
0Корзина

IXBT24N170, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 24А; 250Вт; TO268

Написать отзыв
IXBT24N170
4 93750 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
30+
Цена
4 434.86 ₽
4 144.37 ₽
3 989.44 ₽
Доступность: 23 шт.

Срок поставки 6 недель

+ −

Минимальное количество для товара "IXBT24N170, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 24А; 250Вт; TO268" 1.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
IXBT24N170 IXYS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид упаковки
туба
Время включения
190нс
Время выключения
1285нс
Заряд затвора
0,14мкC
Корпус
TO268
Монтаж
SMD
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Напряжение коллектор-эмиттер
1,7кВ
Обозначение производителя
IXBT24N170
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
250Вт
Технология
BiMOSFET™
Тип транзистора
IGBT
Ток коллектора
24А
Ток коллектора в импульсе
230А
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены