Москва
 +7(993)080-09-37

IXBT2N250, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 2,5кВ; 2А; 32Вт; TO268

Написать отзыв
IXBT2N250
4 180.99 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
10+
Цена
3 774.14 ₽
Доступность: 240 шт.

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "IXBT2N250, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 2,5кВ; 2А; 32Вт; TO268" 1.

Отложить
Артикул производителя
IXBT2N250 IXYS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид упаковки
туба
Время включения
310нс
Время выключения
252нс
Заряд затвора
10,6нC
Корпус
TO268
Монтаж
SMD
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Напряжение коллектор-эмиттер
2,5кВ
Обозначение производителя
IXBT2N250
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
32Вт
Технология
BiMOSFET™
Тип транзистора
IGBT
Ток коллектора
2А
Ток коллектора в импульсе
13А
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный
Найти похожие

Отзывы не найдены

Описание (ixbh_t_2n250.pdf, 239 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России