IXBX75N170, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 75А; 1,04кВт; PLUS247™

IXBX75N170
13 533 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
30+
Цена
11 966 ₽
10 745 ₽
10 029 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "IXBX75N170, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 75А; 1,04кВт; PLUS247™" 1.

Артикул производителя
IXBX75N170 IXYS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид упаковки
туба
Время включения
277нс
Время выключения
840нс
Заряд затвора
0,35мкC
Корпус
PLUS247™
Монтаж
THT
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Напряжение коллектор-эмиттер
1,7кВ
Обозначение производителя
IXBX75N170
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
1,04кВт
Технология
BiMOSFET™, FRED
Тип транзистора
IGBT
Ток коллектора
75А
Ток коллектора в импульсе
580А
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный

Отзывы не найдены

Описание (ixbk_x_75n170.pdf, 178 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены