IXBX75N170A, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 65А; 1,04кВт; PLUS247™

IXBX75N170A
4 251.38 
Доступность: 8 шт.

Срок поставки 4-6 недель

+

Минимальное количество для товара "IXBX75N170A, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 65А; 1,04кВт; PLUS247™" 1.

Артикул производителя
IXBX75N170A IXYS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид упаковки
туба
Время включения
65нс
Время выключения
595нс
Заряд затвора
358нC
Корпус
PLUS247™
Монтаж
THT
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Напряжение коллектор-эмиттер
1,7кВ
Обозначение производителя
IXBX75N170A
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
1,04кВт
Технология
BiMOSFET™
Тип транзистора
IGBT
Ток коллектора
65А
Ток коллектора в импульсе
300А
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный

Отзывы не найдены

Описание (ixbx75n170a.pdf, 192 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены