Москва
 
+7 (499) 550-50-61
0Корзина

IXDN75N120, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 150А; SOT227B

Написать отзыв
IXDN75N120
10 26894 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
Цена
9 060.61 ₽
8 145.83 ₽
Доступность: Предзаказ
+ −

Минимальное количество для товара "IXDN75N120, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 150А; SOT227B" 1.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
IXDN75N120 IXYS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
IXDN75N120
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
660Вт
Технология
NPT
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
150А
Ток коллектора в импульсе
190А
Электрический монтаж
винтами

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены