Москва
 +7(993)080-09-37

IXFN100N50P, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 75А; SOT227B; винтами; 1,04кВт

Написать отзыв
IXFN100N50P
7 157.54 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
Цена
5 708.93 ₽
5 390.10 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "IXFN100N50P, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 75А; SOT227B; винтами; 1,04кВт" 1.

Отложить
Артикул производителя
IXFN100N50P IXYS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Время готовности
200нс
Заряд затвора
240нC
Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
500В
Обозначение производителя
IXFN100N50P
Полярность
полевой
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
1,04кВт
Сопротивление в открытом состоянии
49мОм
Технология
HiPerFET™
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Ток стока
75А
Ток стока в импульсном режиме
250А
Электрический монтаж
винтами
Найти похожие

Отзывы не найдены

Описание (99497.pdf, 153 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России