Вид канала
обогащенный
Время готовности
250нс
Заряд затвора
255нC
Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
±40В
Напряжение сток-исток
500В
Обозначение производителя
IXFN100N50Q3
Полярность
полевой
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
960Вт
Сопротивление в открытом состоянии
49мОм
Технология
HiPerFET™, Q3-Class
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Ток стока
82А
Ток стока в импульсном режиме
300А
Электрический монтаж
винтами
Отзывы не найдены