Москва
 
+7 (499) 550-50-61
0Корзина

IXFN102N30P, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 86А; SOT227B; винтами; 570Вт

Написать отзыв
IXFN102N30P
5 69190 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
Цена
5 132.04 ₽
4 530.81 ₽
Доступность: Предзаказ
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN102N30P, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 86А; SOT227B; винтами; 570Вт" 1.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
IXFN102N30P IXYS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Время готовности
200нс
Заряд затвора
224нC
Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
300В
Обозначение производителя
IXFN102N30P
Полярность
полевой
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
570Вт
Сопротивление в открытом состоянии
33мОм
Технология
HiPerFET™, Polar™
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Ток стока
86А
Ток стока в импульсном режиме
250А
Электрический монтаж
винтами

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены