Москва
 +7(993)080-09-37

IXFN102N30P, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 86А; SOT227B; винтами; 570Вт

Написать отзыв
IXFN102N30P
4 599.40 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
2+
3+
5+
10+
Цена
4 395.35 ₽
4 213.80 ₽
3 912.98 ₽
3 691.67 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "IXFN102N30P, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 86А; SOT227B; винтами; 570Вт" 1.

Отложить
Артикул производителя
IXFN102N30P IXYS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Время готовности
200нс
Заряд затвора
224нC
Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
300В
Обозначение производителя
IXFN102N30P
Полярность
полевой
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
570Вт
Сопротивление в открытом состоянии
33мОм
Технология
HiPerFET™, Polar™
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Ток стока
86А
Ток стока в импульсном режиме
250А
Электрический монтаж
винтами
Найти похожие

Отзывы не найдены

Описание (ixfn102n30p.pdf, 134 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России