Вид канала
обогащенный
Время готовности
250нс
Заряд затвора
254нC
Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
±40В
Напряжение сток-исток
600В
Обозначение производителя
IXFN110N60P3
Полярность
полевой
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
1,5кВт
Сопротивление в открытом состоянии
56мОм
Технология
HiPerFET™, Polar3™
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Ток стока
90А
Ток стока в импульсном режиме
275А
Электрический монтаж
винтами
Отзывы не найдены