Вид канала
обогащенный
Время готовности
205нс
Заряд затвора
425нC
Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
±40В
Напряжение сток-исток
850В
Обозначение производителя
IXFN110N85X
Полярность
полевой
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
1170Вт
Сопротивление в открытом состоянии
33мОм
Технология
HiPerFET™, X-Class
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Ток стока
110А
Ток стока в импульсном режиме
220А
Электрический монтаж
винтами
Отзывы не найдены