IXFN110N85X, Модуль; одиночный транзистор; 850В; 110А; SOT227B; винтами; 1170Вт

IXFN110N85X
17 44718 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
Цена
15 413.73 ₽
13 844.19 ₽
Доступность: 9 шт.

Срок поставки 6 недель

+

Минимальное количество для товара "IXFN110N85X, Модуль; одиночный транзистор; 850В; 110А; SOT227B; винтами; 1170Вт" 1.

Артикул производителя
IXFN110N85X IXYS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Время готовности
205нс
Заряд затвора
425нC
Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
±40В
Напряжение сток-исток
850В
Обозначение производителя
IXFN110N85X
Полярность
полевой
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
1170Вт
Сопротивление в открытом состоянии
33мОм
Технология
HiPerFET™, X-Class
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Ток стока
110А
Ток стока в импульсном режиме
220А
Электрический монтаж
винтами

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены