IXFN120N65X2, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 108А; SOT227B; винтами; 890Вт

IXFN120N65X2

Срок поставки 4-6 недель

7 523.85 
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "IXFN120N65X2, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 108А; SOT227B; винтами; 890Вт" 1.

Артикул производителя
IXFN120N65X2 IXYS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Время готовности
220нс
Заряд затвора
240нC
Код производителя
IXFN120N65X2
Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
±40В
Напряжение сток-исток
650В
Полярность
полевой
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
890Вт
Сопротивление в открытом состоянии
24мОм
Технология
HiPerFET™, X2-Class
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Ток стока
108А
Ток стока в импульсном режиме
240А
Электрический монтаж
винтами

Отзывы не найдены

Описание (ixfn120n65x2.pdf, 138 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России