Вид канала
обогащенный
Время готовности
250нс
Заряд затвора
250нC
Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
±40В
Напряжение сток-исток
500В
Обозначение производителя
IXFN132N50P3
Полярность
полевой
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
1,5кВт
Сопротивление в открытом состоянии
39мОм
Технология
HiPerFET™, Polar™
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Ток стока
112А
Ток стока в импульсном режиме
330А
Электрический монтаж
винтами
Отзывы не найдены