Вид канала
обогащенный
Время готовности
190нс
Заряд затвора
355нC
Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
650В
Обозначение производителя
IXFN150N65X2
Полярность
полевой
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
1,04кВт
Сопротивление в открытом состоянии
17мОм
Технология
HiPerFET™, X2-Class
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Ток стока
145А
Ток стока в импульсном режиме
300А
Электрический монтаж
винтами
Отзывы не найдены