Вид канала
обогащенный
Время готовности
200нс
Заряд затвора
258нC
Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
300В
Обозначение производителя
IXFN170N30P
Полярность
полевой
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
890Вт
Сопротивление в открытом состоянии
18мОм
Технология
HiPerFET™, Polar™
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Ток стока
138А
Ток стока в импульсном режиме
500А
Электрический монтаж
винтами
Отзывы не найдены