Вид канала
обогащенный
Время готовности
270нс
Заряд затвора
434нC
Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
650В
Обозначение производителя
IXFN170N65X2
Полярность
полевой
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
1170Вт
Сопротивление в открытом состоянии
13мОм
Технология
HiPerFET™, X2-Class
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Ток стока
170А
Ток стока в импульсном режиме
340А
Электрический монтаж
винтами
Отзывы не найдены