IXFN170N65X2, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 170А; SOT227B; винтами; 1170Вт

IXFN170N65X2

Срок поставки 4-6 недель

10 038.33 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
Цена
8 979.56 ₽
8 432.71 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "IXFN170N65X2, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 170А; SOT227B; винтами; 1170Вт" 1.

Артикул производителя
IXFN170N65X2 IXYS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Время готовности
270нс
Заряд затвора
434нC
Код производителя
IXFN170N65X2
Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
650В
Полярность
полевой
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
1170Вт
Сопротивление в открытом состоянии
13мОм
Технология
HiPerFET™, X2-Class
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Ток стока
170А
Ток стока в импульсном режиме
340А
Электрический монтаж
винтами

Отзывы не найдены

Описание (ixfn170n65x2.pdf, 126 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России