IXFN200N10P, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 200А; SOT227B; винтами; 680Вт

IXFN200N10P
4 657 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
Цена
4 104 ₽
3 973 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "IXFN200N10P, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 200А; SOT227B; винтами; 680Вт" 1.

Артикул производителя
IXFN200N10P IXYS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Время готовности
150нс
Заряд затвора
235нC
Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
100В
Обозначение производителя
IXFN200N10P
Полярность
полевой
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
680Вт
Сопротивление в открытом состоянии
7,5мОм
Технология
HiPerFET™, Polar™
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Ток стока
200А
Ток стока в импульсном режиме
400А
Электрический монтаж
винтами

Отзывы не найдены

Описание (ixfn200n10p.pdf, 166 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены