Москва
 
+7 (499) 550-50-61
0Корзина

IXFN200N10P, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 200А; SOT227B; винтами; 680Вт

Написать отзыв
IXFN200N10P
4 61972 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
Цена
4 207.75 ₽
3 824.82 ₽
3 747.36 ₽
Доступность: Предзаказ
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN200N10P, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 200А; SOT227B; винтами; 680Вт" 1.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
IXFN200N10P IXYS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Время готовности
150нс
Заряд затвора
235нC
Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
100В
Обозначение производителя
IXFN200N10P
Полярность
полевой
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
680Вт
Сопротивление в открытом состоянии
7,5мОм
Технология
HiPerFET™, Polar™
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Ток стока
200А
Ток стока в импульсном режиме
400А
Электрический монтаж
винтами

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены