Вид канала
обогащенный
Время готовности
200нс
Заряд затвора
255нC
Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
200В
Обозначение производителя
IXFN210N20P
Полярность
полевой
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
1,07кВт
Сопротивление в открытом состоянии
10,5мОм
Технология
HiPerFET™, Polar™
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Ток стока
188А
Ток стока в импульсном режиме
600А
Электрический монтаж
винтами
Отзывы не найдены