IXFN26N100P, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 23А; SOT227B; винтами; Idm: 65А

IXFN26N100P
12 60227 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
Цена
11 122.16 ₽
9 999.05 ₽
Доступность: 6 шт.

Срок поставки 6 недель

+

Минимальное количество для товара "IXFN26N100P, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 23А; SOT227B; винтами; Idm: 65А" 1.

Артикул производителя
IXFN26N100P IXYS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Время готовности
300нс
Заряд затвора
197нC
Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
±40В
Напряжение сток-исток
1кВ
Обозначение производителя
IXFN26N100P
Полярность
полевой
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
595Вт
Сопротивление в открытом состоянии
390мОм
Технология
HiPerFET™, Polar™
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Ток стока
23А
Ток стока в импульсном режиме
65А
Электрический монтаж
винтами

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены