Вид канала
обогащенный
Время готовности
300нс
Заряд затвора
197нC
Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
±40В
Напряжение сток-исток
1кВ
Обозначение производителя
IXFN26N100P
Полярность
полевой
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
595Вт
Сопротивление в открытом состоянии
390мОм
Технология
HiPerFET™, Polar™
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Ток стока
23А
Ток стока в импульсном режиме
65А
Электрический монтаж
винтами
Отзывы не найдены