IXFN30N120P, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 30А; SOT227B; винтами; 890Вт

IXFN30N120P
13 53521 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
Цена
11 965.67 ₽
10 745.60 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "IXFN30N120P, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 30А; SOT227B; винтами; 890Вт" 1.

Артикул производителя
IXFN30N120P IXYS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Время готовности
300нс
Заряд затвора
310нC
Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
±40В
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Обозначение производителя
IXFN30N120P
Полярность
полевой
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
890Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,35Ом
Технология
HiPerFET™, Polar™
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Ток стока
30А
Ток стока в импульсном режиме
75А
Электрический монтаж
винтами

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены