Вид канала
обогащенный
Время готовности
150нс
Заряд затвора
640нC
Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
170В
Обозначение производителя
IXFN320N17T2
Полярность
полевой
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
1,07кВт
Сопротивление в открытом состоянии
5,2мОм
Технология
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Ток стока
260А
Ток стока в импульсном режиме
800А
Электрический монтаж
винтами
Отзывы не найдены