IXFN32N100P, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 27А; SOT227B; винтами; Idm: 75А

IXFN32N100P
7 319 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
Цена
6 467 ₽
5 808 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "IXFN32N100P, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 27А; SOT227B; винтами; Idm: 75А" 1.

Артикул производителя
IXFN32N100P IXYS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Время готовности
300нс
Заряд затвора
225нC
Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
±40В
Напряжение сток-исток
1кВ
Обозначение производителя
IXFN32N100P
Полярность
полевой
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
690Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,32Ом
Технология
HiPerFET™, Polar™
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Ток стока
27А
Ток стока в импульсном режиме
75А
Электрический монтаж
винтами

Отзывы не найдены

Описание (ixfn32n100p.pdf, 112 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены