Вид канала
обогащенный
Время готовности
300нс
Заряд затвора
195нC
Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
±40В
Напряжение сток-исток
1кВ
Обозначение производителя
IXFN32N100Q3
Полярность
полевой
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
780Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,32Ом
Технология
HiPerFET™, Q3-Class
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Ток стока
28А
Ток стока в импульсном режиме
96А
Электрический монтаж
винтами
Отзывы не найдены