IXFN32N100Q3, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 28А; SOT227B; винтами; Idm: 96А

IXFN32N100Q3

Срок поставки 4-6 недель

16 378.19 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
Цена
14 730.83 ₽
13 020.44 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "IXFN32N100Q3, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 28А; SOT227B; винтами; Idm: 96А" 1.

Артикул производителя
IXFN32N100Q3 IXYS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Время готовности
300нс
Заряд затвора
195нC
Код производителя
IXFN32N100Q3
Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
±40В
Напряжение сток-исток
1кВ
Полярность
полевой
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
780Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,32Ом
Технология
HiPerFET™, Q3-Class
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Ток стока
28А
Ток стока в импульсном режиме
96А
Электрический монтаж
винтами

Отзывы не найдены

Описание (ixfn32n100q3.pdf, 127 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России